Транзистор KT339V npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT339V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
260mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
25mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
450MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Low power
Искать KT339V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее