Транзистор KT342DM npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT342DM. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
8
Коэффициент усиления (hFE)
200/500
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Low power
Искать KT342DM в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее