Транзистор KT357G pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT357G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3.5V
Ток коллектора (Iк)
40mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
300MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
60/300
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Low power
Искать KT357G в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее