Транзистор KT501G pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора KT501G. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 350mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 30V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 30V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 10V
- Ток коллектора (Iк)
- 300mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 5MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 50
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20/60
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Искать KT501G в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.