Транзистор KT503B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT503B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
150mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
20
Коэффициент усиления (hFE)
80/240
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT503B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее