Транзистор KT503D npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT503D. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
150mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
20
Коэффициент усиления (hFE)
40/120
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT503D в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее