Транзистор KT632B-1 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора KT632B-1. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 350mW
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 120V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5
- Ток коллектора (Iк)
- 100mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 200MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 5
- Коэффициент усиления (hFE)
- 50/500
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Искать KT632B-1 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.