Транзистор KT638A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT638A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
8
Коэффициент усиления (hFE)
50/350
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT638A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее