Транзистор KT640B-2 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT640B-2. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
60mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
3.8GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
1.3
Коэффициент усиления (hFE)
15MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT640B-2 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее