Транзистор KT645B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT645B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
180єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
80MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT645B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее