Транзистор KT660A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT660A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
800mA
Температура перехода (Tj)
180єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
110MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT660A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее