Транзистор KT660B npn
Справочные характеристики биполярного транзистора KT660B. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 500mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 30V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 800mA
- Температура перехода (Tj)
- 180єC
- Граничная частота (Fгр)
- 200MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 10
- Коэффициент усиления (hFE)
- 200MIN
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Искать KT660B в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.