Транзистор KT665A9 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT665A9. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
140MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
25
Коэффициент усиления (hFE)
40/250
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT665A9 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее