Транзистор KT683G npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT683G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
8W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
50MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
15
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT683G в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее