Транзистор KT8109B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT8109B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
80W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
300V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
7A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
7MHz
Коэффициент усиления (hFE)
150MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Darlington, Power
Искать KT8109B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее