Транзистор KT8170-A1 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT8170-A1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 700V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 9V
Ток коллектора (Iк): 1.5A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 4MHz
Коэффициент усиления (hFE): 5/25
Производитель: RUSSIA
Применение: Power, High Voltage

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.