Транзистор KT8175B-1 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT8175B-1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
20W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
600V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
9V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
8/40
Производитель
RUSSIA
Применение
Power, High Voltage
Искать KT8175B-1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее