Транзистор KT817B2 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT817B2. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
45V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
6A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
60
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Power, General Purpose
Искать KT817B2 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее