Транзистор KT855B pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора KT855B. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 40W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 250V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 5A
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 5MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 200
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20MIN
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Power, High Voltage, General Purpose
Искать KT855B в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.