Транзистор KT859A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT859A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 800V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 3A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 9.9MHz
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: Power, High Voltage, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.