Транзистор KT881B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT881B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
5W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4.5V
Ток коллектора (Iк)
2A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
30MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
200
Коэффициент усиления (hFE)
80/250
Производитель
RUSSIA
Искать KT881B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее