Транзистор KT888A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT888A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
7W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
900V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
900V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
15MHz
Коэффициент усиления (hFE)
30/120
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power, Switching, General Purpose
Искать KT888A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее