Транзистор KT911G npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT911G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
3W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
55V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
400mA
Температура перехода (Tj)
120єC
Граничная частота (Fгр)
1GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Power, General Purpose
Искать KT911G в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее