Транзистор KT919G npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT919G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 10W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 45V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3.5V
Ток коллектора (Iк): 700mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 1.3GHz
Ёмкость коллектора (Cк): 12
Коэффициент усиления (hFE): 25MIN
Производитель: RUSSIA

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.