Транзистор KT919V npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT919V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
3.25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
45V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3.5V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
1.3GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
RUSSIA
Искать KT919V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее