Транзистор KTD1003A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KTD1003A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 250MHz
Коэффициент усиления (hFE): 800/1600
Производитель: KEC
Применение: Darlington, Low Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.