Транзистор KTD1003C npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KTD1003C. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
250MHz
Коэффициент усиления (hFE)
2000MIN
Производитель
KEC
Применение
Darlington, Low Power
Искать KTD1003C в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее