Транзистор LP1001 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора LP1001. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 2V
Ток коллектора (Iк): 50mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 20/80
Производитель: MOTOROLA
Применение: UHF, Low Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.