Транзистор MG15G1AL3 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MG15G1AL3. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
120W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
600V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
600V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
15A
Температура перехода (Tj)
150єC
Ёмкость коллектора (Cк)
190
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
TOSHIBA
Применение
Darlington, Power, Switching
Искать MG15G1AL3 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее