Транзистор MG200H1AL1 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора MG200H1AL1. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 800W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 600V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 550V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 200A
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 1N
- Коэффициент усиления (hFE)
- 80MIN
- Производитель
- TOSHIBA
- Применение
- Darlington, Power, Switching
Искать MG200H1AL1 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.