Транзистор MJ10009 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ10009. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
175W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
700V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
500V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
20A
Температура перехода (Tj)
200єC
Ёмкость коллектора (Cк)
325
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Darlington, Power
Искать MJ10009 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее