Транзистор MJ10050 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ10050. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
900V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
850V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
50A
Температура перехода (Tj)
150єC
Ёмкость коллектора (Cк)
4N
Коэффициент усиления (hFE)
35MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Darlington, Power
Искать MJ10050 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее