Транзистор MJ11032 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ11032. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
50A
Температура перехода (Tj)
175єC
Коэффициент усиления (hFE)
2000T
Производитель
MOTOROLA
Применение
Darlington, Power
Искать MJ11032 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее