Транзистор MJ12010 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ12010. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 100W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 950V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 10A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 30T
Производитель: MOTOROLA
Применение: Power, TV Deflection

Искать MJ12010 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.