Транзистор MJ8501 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ8501. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
125W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
800V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
2.5A
Температура перехода (Tj)
200єC
Ёмкость коллектора (Cк)
250
Коэффициент усиления (hFE)
7.5MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать MJ8501 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее