Транзистор MJ8503 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ8503. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
150W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
800V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
5A
Температура перехода (Tj)
200єC
Ёмкость коллектора (Cк)
300
Коэффициент усиления (hFE)
7.5MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Power, High Voltage, General Purpose
Искать MJ8503 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее