Транзистор MJD112T4 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJD112T4. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 20W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 2A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 25MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 100
Коэффициент усиления (hFE): 6000T
Производитель: MOTOROLA
Применение: Darlington, Power

Есть в каталоге

MJD112T4, Биполярный PNP транзистор ST Microelectronics, Dar... В наличии: 1450 шт. · от 77,00 ₽ ₽

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.