Транзистор MJD200 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJD200. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
12.5W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
5A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
65MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
120
Коэффициент усиления (hFE)
70/180
Производитель
MOTOROLA
Применение
Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать MJD200 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее