Транзистор MJD32CT4 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора MJD32CT4. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
15W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Коэффициент усиления (hFE)
25/50
Производитель
MOTOROLA
Применение
Power, General Purpose
Искать MJD32CT4 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее