Транзистор MMBA812M6 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBA812M6. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
200MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Low Power, General Purpose
Искать MMBA812M6 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее