Транзистор MMBR911LT1 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBR911LT1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
60mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
7GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
1
Коэффициент усиления (hFE)
30/200
Производитель
MOTOROLA
Применение
UHF, Low Power
Искать MMBR911LT1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее