Транзистор MMBR931LT1 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBR931LT1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
10V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
5V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
150mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
1GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.5
Коэффициент усиления (hFE)
50/150
Производитель
MOTOROLA
Применение
UHF, Low Power, Low Noise
Искать MMBR931LT1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее