Транзистор MMBT5401LT1 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBT5401LT1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
160V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
150V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
600mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
60/240
Производитель
MOTOROLA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать MMBT5401LT1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее