Транзистор MMBT5551 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBT5551. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 180V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 160V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 200mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 300MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 10
Коэффициент усиления (hFE): 80/250
Производитель: VISHAY
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

CMPT5551

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Есть в каталоге

MMBT5551 CTK Биполярный транзистор NPN, 160 В, 0,6 А, SOT-23 В наличии: 45000 шт. · от 1,59 ₽ ₽

Искать MMBT5551 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.