Транзистор MMBT6427LT1 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBT6427LT1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
12V
Ток коллектора (Iк)
350mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
50000T
Производитель
MOTOROLA
Применение
Darlington, Low Power
Искать MMBT6427LT1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее