Транзистор MMBT8599 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора MMBT8599. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 200MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 4.5
Коэффициент усиления (hFE): 50/200
Производитель: MOTOROLA
Применение: Darlington, Low Power

Аналоги

CMPT8599

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.