Транзистор MMT806 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MMT806. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
225mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
8V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
5V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
135єC
Граничная частота (Fгр)
1.2GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.6
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Ultra High Frequency, Switching
Искать MMT806 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее