Транзистор MMUN2116LT1 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора MMUN2116LT1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
150MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Digital, R1=4.7K
Искать MMUN2116LT1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее