Транзистор MP110B-G pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора MP110B-G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 106W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 90V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 20V
Ток коллектора (Iк): 25A
Температура перехода (Tj): 110єC
Граничная частота (Fгр): 500KHz
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: MOTOROLA

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.