Транзистор MPSD04 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MPSD04. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Коэффициент усиления (hFE)
1KMIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Medium Power, Darlington
Искать MPSD04 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее